日期:2023-03-08 09:10:05 来源:互联网
(资料图)
1、IGBT(Insulated Gate BIPOlar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2、GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
3、IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
4、非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
5、IGBT概念主要上市公司:科达股份(600986)、钱江摩托(000913)、华微电子(600360)、中环股份(002129)、长电科技(600584)、台基股份(300046)等。
本文分享完毕,希望对你有所帮助。
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